MEMS & Batterien

Mit der Anlage sol­len hoch­in­te­grierte Bau­ele­mente ent­wi­ckelt wer­den, die Sen­so­rik, Akto­rik, Daten­ver­ar­bei­tung, Ener­gie­spei­cher und Draht­los­kom­mu­ni­ka­tion auf kleins­tem Raum kom­bi­nie­ren. Für eine hohe Inte­gra­ti­ons­dichte ist Atom­la­gen­ab­schei­dung (ALD) ideal, denn mit ihr las­sen sich auf mikro­sko­pi­scher Ebene nicht nur 2D- son­dern auch 3D-Struk­tu­ren wie Grä­ben oder auf­recht ste­hende Zylin­der gleich­mä­ßig von allen Sei­ten beschich­ten. Die Anlage dient der Ent­wick­lung und Mus­ter­her­stel­lung auf indus­tri­el­lem Niveau und soll des­halb Lose von 300 mm Wafern über ein stan­dar­di­sier­tes FOUB-Inter­face anneh­men und beschich­ten kön­nen. Gleich­zei­tig muss sie als Ent­wick­lungs­an­lage auch in CMOS-Pro­zes­sen uner­wünschte Mate­ria­lien wie Lithium, Gold oder Kup­fer ver­ar­bei­ten, ver­schie­denste ALD-Pro­zesse anbie­ten (Plasma-ALD sowie ther­mi­sches ALD in Cross­flow- und Show­er­head-Reak­tor) und vom Nut­zer bzw. Her­stel­ler nach­träg­lich für neue For­schungs­vor­ha­ben modi­fi­ziert wer­den kön­nen. Schließ­lich muss die Anlage kom­plexe Rezepte auto­ma­ti­siert absol­vie­ren kön­nen, alle Pro­zess­da­ten kon­ti­nu­ier­lich auf­zeich­nen und ver­schie­dene Nut­z­er­le­vel ermög­li­chen.