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Sputter­ver­fahren der FHR im Detail

Reaktives Ionenätzen

Reaktives Ionenätzen

Präzision und Kontrolle

Das reaktive Ionenätzen (engl.: „Reactive Ion Etching“, kurz: RIE) stellt ein Trockenätzverfahren dar, das in der modernen Materialbearbeitung einen festen Platz eingenommen hat. Mit der Fähigkeit, sowohl isotrope als auch anisotrope Ätzungen durchzuführen, bietet es eine hohe Flexibilität in der Strukturierung von Oberflächen. Vor allem in der Halbleiterindustrie hat sich das RIE aufgrund seiner Präzision und Anpassungsfähigkeit als bevorzugte Methode zur Definition mikro- und nanostrukturierter Bauelemente etabliert. Erfahren Sie mehr über diese zuverlässige und präzise Technik in der Dünnschichttechnologie.

Wir von der FHR sind Ihre Spezialisten rund um das Thema Sputtern, Sputtertargets und Vakuumbeschichtung. 

So funktioniert´s

Was steckt hinter dem Reaktiven Ionenätzen?

Das reaktive Ionenätzen (engl.: „Reactive Ion Etching“, kurz: RIE) ist ein Trockenätzverfahren, das physikalische und chemische Vorgänge verbindet. Hierbei treffen Ionen auf die Materialoberfläche, wodurch diese aktiviert wird. Dies ermöglicht eine chemische Reaktion mit dem Ätzgas. Das FHR-Team hat mit diesem Verfahren zur Strukturierung viel Erfahrung.

Beim RIE-Prozess bildet das Ätzgas zusammen mit dem Material der Oberfläche ein Gas, das dann abgesaugt wird. Ein Vorteil dieses Verfahrens istseine gute Steuerbarkeit. Das Ätzen kann isotrop in alle Richtungen oder anisotrop in eine spezielle Richtung erfolgen.

Mit Hilfe von speziellen Masken ist das reaktive Ionenätzen ideal, um feine Strukturen für Mikro- und Nanotechnologie herzustellen. Es wird hauptsächlich in der Halbleiterindustrie zur Mikrostrukturierung verwendet.

Die FHR bietet entsprechendes Equipment für die Behandlung großflächiger Substrate (FHR.Line-Produktreihe) sowie als Bestandteil von Clustertools für die Bearbeitung von Wafern (FHR.Star-Produktreihe) an.

Das reaktive Ionenätzen bietet dabei mehrere Vorteile:

  1. Anisotropes Ätzen: RIE ermöglicht das Ätzen mit steilen Seitenwänden, was besonders wichtig für viele mikroelektronische Anwendungen ist.
  2. Präzision und Kontrolle: Mit RIE können Ätzrate und -tiefe genau gesteuert werden, was zu präzisen und reproduzierbaren Strukturen führt.
  3. Vielseitigkeit: Durch die Verwendung verschiedener Gase und Prozessparameter kann RIE zum Ätzen einer breiten Palette von Materialien verwendet werden, von Halbleitern über Metalle bis hin zu Dielektrika.
  4. Minimale Unterätzung: Im Vergleich zu einigen anderen Ätzverfahren kann die seitliche Unterätzung, das sogenannte Seitenätzen, beim RIE unter einer Maske minimiert werden.
  5. Trockenätzverfahren: Im Gegensatz zum nasschemischen Ätzen werden keine Flüssigkeiten verwendet, wodurch das Risiko von Verunreinigungen und ungewollten chemischen Reaktionen reduziert wird.
  6. Hohe Auflösung: RIE ermöglicht das Ätzen von feinsten Strukturen auf nanoskaliger Ebene, was es besonders wertvoll für fortschrittliche Halbleiteranwendungen und Nanotechnologie macht.

Diese Eigenschaften machen das reaktive Ionenätzen zu einem essenziellen Werkzeug in der modernen Technologie.

Vakuumbeschichtungsanlagen


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