反应性离子蚀刻

R反应性离子蚀刻（RIE）是一种结合了物理和化学过程的干式蚀刻工艺。离子撞击材料表面，使其活化。这样就能与蚀刻气体发生化学反应。我们的 FHR 团队在这种结构化方法方面拥有丰富的经验。

在 RIE 工艺中，蚀刻气体与表面材料一起形成气体，然后将其提取出来。这种工艺的优点之一是其有效的可控性。蚀刻可以在所有方向上各向同性地进行，也可以在特定方向上各向异性地进行。

在特殊掩膜的帮助下，反应性离子蚀刻技术是生产微米和纳米技术精细结构的理想选择。它主要用于半导体工业的微结构制造。

FHR 为大面积基材的处理 (FHR.Line product range) 和晶圆加工簇工具的组成部分 (FHR.Star product range) 提供合适的设备。
 

反应性离子蚀刻具有几个主要优势:

1. 各向异性蚀刻: RIE 可实现陡峭侧壁蚀刻，这对许多微电子应用尤为重要。
2. 精确和控制: 利用 RIE，可以精确控制蚀刻速度和深度，从而获得精确且可重复的结构。
3. 多功能性: 通过使用不同的气体和工艺参数，RIE 可用于蚀刻从半导体到金属和电介质等各种材料。
4. 最小化蚀刻不足: 与其他一些蚀刻工艺相比，在掩膜下使用 RIE 可以最大限度地减少横向蚀刻不足（即 "侧蚀刻")。
5. 干式蚀刻工艺: 与湿化学蚀刻相比，不使用液体，从而降低了污染和不必要化学反应的风险。
6. 高分辨率: RIE 可以蚀刻出纳米级的最精细结构，因此对先进的半导体应用和纳米技术尤为重要。

这些特性使反应性离子蚀刻成为现代技术的重要工具。