项目示例

薄膜新材料

采用 PECVD、ALD 和 FLA 技术进行镀层开发的组合镀膜系统

应用

例如，CVD过程用于在半导体工业中沉积氮化硅或多晶硅，但需要高于400°C的温度。然而，塑料上的柔性电子元件、玻璃上的温度敏感元件或镜子上的机械保护镀层也需要尽可能致密的镀膜，在某些情况下还需要高纯度和明确的晶体结构。因此，等离子体（PECVD）、高活性化学品（ALD）或强闪光（闪灯退火 - FLA）提供了必要的反应能量，它们只加热表面而不加热温度。

对系统的要求

该系统将用于研究和开发层沉积的新工艺。该系统的设计目的是在不中断真空的情况下，在 100 毫米晶圆上实现 PECVD、ALD 和 FLA。该系统还必须能够加装额外的工艺，例如溅射。洁净室的占地面积是预先确定的，而且要非常小。毕竟，系统必须能够自动完成复杂的配方，连续记录所有过程数据，并支持不同的用户级别。

利用PECVD和ALD技术实现表面一致性和致密镀膜
在标准CVD温度以下进行层沉积
与高温镀膜一样的密度、纯度和晶体结构

解决需求

FHR.Star.100-ALD/PECVD/FLA（原名Cluster DS 100 x 4）由一个小型的单晶衬底加载锁和一个集成的机器人臂组成，用于在真空条件下加载相邻的加工室。在加工室中，晶片放置在一个旋转臂上，该旋转臂将其移动到四个加工站之一，并在那里将其升起。这将加工站与加工室的其余部分隔离开来，防止同时对其进行涂覆。前体和气体供应位于系统的上方。系统的控制柜，例如闪光灯的电容器组，位于地下室。与FHR系统一样，该系统具有全面的自动化功能，可以访问所有组件，并具有方便的配方控制。